IXTM11N80
Modelo do Produto:
IXTM11N80
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
POWER MOSFET TO-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
66764 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXTM11N80.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-204AA
Série:GigaMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:950 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Caixa / Gabinete:TO-204AA, TO-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:170nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):800V
Descrição detalhada:N-Channel 800V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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