IXTD3N60P-2J
Modelo do Produto:
IXTD3N60P-2J
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 600
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
31965 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXTD3N60P-2J.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):70W (Tc)
Caixa / Gabinete:Die
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:411pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.8nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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