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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA1R6N50D2
IXTA1R6N50D2
IXTA1R6N50D2
Modelo do Produto:
IXTA1R6N50D2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
23196 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXTA1R6N50D2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263 (IXTA)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Dissipação de energia (Max):100W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:645pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:23.7nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Depletion Mode
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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