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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFR12N100Q
IXFR12N100Q
IXFR12N100Q
Modelo do Produto:
IXFR12N100Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
64886 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXFR12N100Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOPLUS247™
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.1 Ohm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:ISOPLUS247™
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V
Descrição detalhada:N-Channel 1000V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

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