IXCY01N90E
Modelo do Produto:
IXCY01N90E
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19015 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
IXCY01N90E.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 25µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:80 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipação de energia (Max):40W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:133pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição detalhada:N-Channel 900V 250mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:250mA (Tc)
Email:[email protected]

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