Condição | New & Unused, Original Packing |
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Origem | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-223 |
Série: | HEXFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 57.5 mOhm @ 3.1A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 1W (Ta) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | TO-261-4, TO-261AA |
Outros nomes: | IRFL024ZTRPBF-ND IRFL024ZTRPBFTR SP001560488 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 340pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 55V |
Descrição detalhada: | N-Channel 55V 5.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |