FQAF11N90C
FQAF11N90C
Modelo do Produto:
FQAF11N90C
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
23156 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FQAF11N90C.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-3PF
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):120W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SC-94
Outros nomes:FQAF11N90C-ND
FQAF11N90CFS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:28 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3290pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição detalhada:N-Channel 900V 7A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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