FJV3114RMTF
Modelo do Produto:
FJV3114RMTF
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
51188 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
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Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:FJV3114RMTFDKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:FJV3114
Email:[email protected]

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