FDZ3N513ZT
FDZ3N513ZT
Modelo do Produto:
FDZ3N513ZT
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
74497 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDZ3N513ZT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):+5.5V, -0.3V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-WLCSP (1x1)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:4-UFBGA, WLCSP
Outros nomes:FDZ3N513ZTCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:85pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Schottky Diode (Body)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):3.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (1x1)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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