FDS3601
FDS3601
Modelo do Produto:
FDS3601
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
43149 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDS3601.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:480 mOhm @ 1.3A, 10V
Power - Max:900mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:153pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

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