FDMD8900
FDMD8900
Modelo do Produto:
FDMD8900
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V POWER
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
29030 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDMD8900.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:12-Power3.3x5
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 mOhm @ 19A, 10V
Power - Max:2.1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:12-PowerWDFN
Outros nomes:FDMD8900TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:39 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2605pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 19A, 17A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:19A, 17A
Email:[email protected]

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