FDG315N
Modelo do Produto:
FDG315N
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
34789 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDG315N.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SC-70-6
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):750mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:FDG315NCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:220pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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