FDD3670
FDD3670
Modelo do Produto:
FDD3670
Fabricante:
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
52171 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDD3670.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Teste:2490pF @ 50V
Tensão - Breakdown:TO-252
VGS (th) (Max) @ Id:32 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (Max):6V, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Série:PowerTrench®
Status de RoHS:Digi-Reel®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:34A (Ta)
Polarização:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:FDD3670DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:17 Weeks
Número de peça do fabricante:FDD3670
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:80nC @ 10V
Tipo de IGBT:±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4V @ 250µA
Característica FET:N-Channel
Descrição expandida:N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100V
Rácio de capacitância:3.8W (Ta), 83W (Tc)
Email:[email protected]

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