FDC8601
FDC8601
Modelo do Produto:
FDC8601
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
55864 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDC8601.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-SSOT
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:109 mOhm @ 2.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:FDC8601CT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 2.7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-SSOT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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