FDC6506P
FDC6506P
Modelo do Produto:
FDC6506P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12761 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDC6506P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SuperSOT™-6
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:170 mOhm @ 1.8A, 10V
Power - Max:700mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:FDC6506PCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.5nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.8A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.8A
Email:[email protected]

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