FCB110N65F
- Modelo do Produto:
- FCB110N65F
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 50656 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- FCB110N65F.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 3.5mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | D²PAK |
| Série: | FRFET®, SuperFET® II |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 110 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 357W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | FCB110N65FTR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 52 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4895pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D²PAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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