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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2018
EPC2018
EPC2018
Modelo do Produto:
EPC2018
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
20569 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
EPC2018.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 3mA
Vgs (Max):+6V, -5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 6A, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-1034-2
Temperatura de operação:-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:540pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):150V
Descrição detalhada:N-Channel 150V 12A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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