DTD543EMT2L
DTD543EMT2L
Modelo do Produto:
DTD543EMT2L
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
38999 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.DTD543EMT2L.pdf2.DTD543EMT2L.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):12V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor:NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:VMT3
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):4.7 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:260MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:115 @ 100mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):500mA
Número da peça base:DTD543
Email:[email protected]

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