DTA123YUAT106
DTA123YUAT106
Modelo do Produto:
DTA123YUAT106
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
33059 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.DTA123YUAT106.pdf2.DTA123YUAT106.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT3
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):10 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:DTA123YUAT106-ND
DTA123YUAT106TR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:33 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:DTA123
Email:[email protected]

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