DGD2106S8-13
DGD2106S8-13
Modelo do Produto:
DGD2106S8-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
11362 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
DGD2106S8-13.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Fornecimento:10 V ~ 20 V
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:-
Aumento / tempo de queda (típico):100ns, 35ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:DGD2106S8-13DITR
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Frequência de entrada:2
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Tensão lógica - VIL, VIH:0.6V, 2.5V
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Non-Inverting
High Voltage Side - Max (Bootstrap):600V
Tipo de portão:IGBT, N-Channel MOSFET
Configuração Driven:Half-Bridge
Descrição detalhada:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
Corrente - Saída de Pico (Fonte, Pia):290mA, 600mA
Base-saturação do emissor Tensão (Max):Independent
Email:[email protected]

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