BYG10M-E3/TR
BYG10M-E3/TR
Modelo do Produto:
BYG10M-E3/TR
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
34859 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.BYG10M-E3/TR.pdf2.BYG10M-E3/TR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.15V @ 1.5A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1000V
Embalagem do dispositivo fornecedor:DO-214AC (SMA)
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):4µs
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:DO-214AC, SMA
Outros nomes:BYG10M-E3/GICT
Temperatura de Operação - Junção:-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:44 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Avalanche
Descrição detalhada:Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Atual - dispersão reversa @ Vr:1µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io):1.5A
Capacitância @ Vr, F:-
Número da peça base:BYG10M
Email:[email protected]

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