BDV65B
- Modelo do Produto:
- BDV65B
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN DARL 100V 10A TO-218
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 38904 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- BDV65B.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 20mA, 5A |
| Tipo transistor: | NPN - Darlington |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SOT-93 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 125W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-218-3 |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 10A 125W Through Hole SOT-93 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 1000 @ 5A, 4V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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