BD679AS
BD679AS
Modelo do Produto:
BD679AS
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN DARL 80V 4A TO-126
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
64463 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.BD679AS.pdf2.BD679AS.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:2.8V @ 40mA, 2A
Tipo transistor:NPN - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-126
Série:-
Power - Max:40W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-126
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:750 @ 2A, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max):500µA
Atual - Collector (Ic) (Max):4A
Número da peça base:BD679
Email:[email protected]

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