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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTM10DDAM19T3G
APTM10DDAM19T3G
Modelo do Produto:
APTM10DDAM19T3G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
30893 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APTM10DDAM19T3G.pdf2.APTM10DDAM19T3G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:21 mOhm @ 35A, 10V
Power - Max:208W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP3
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:70A
Email:[email protected]

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