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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTM100H45STG
APTM100H45STG
APTM100H45STG
Modelo do Produto:
APTM100H45STG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
46961 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APTM100H45STG.pdf2.APTM100H45STG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP4
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:540 mOhm @ 9A, 10V
Power - Max:357W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP4
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:154nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição detalhada:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

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