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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APTGT50DH60T1G
APTGT50DH60T1G
Modelo do Produto:
APTGT50DH60T1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOD IGBT 600V 80A SP1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
41579 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APTGT50DH60T1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:1.9V @ 15V, 50A
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP1
Série:-
Power - Max:176W
Caixa / Gabinete:SP1
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor:Yes
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:3.15nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição detalhada:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
Atual - Collector Cutoff (Max):250µA
Atual - Collector (Ic) (Max):80A
Configuração:Asymmetrical Bridge
Email:[email protected]

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