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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APTGT35DA120D1G
APTGT35DA120D1G
Modelo do Produto:
APTGT35DA120D1G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
IGBT 1200V 55A 205W D1
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
74284 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APTGT35DA120D1G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.1V @ 15V, 35A
Embalagem do dispositivo fornecedor:D1
Série:-
Power - Max:205W
Caixa / Gabinete:D1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de entrada (Cies) @ Vce:2.5nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
Descrição detalhada:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 55A 205W Chassis Mount D1
Atual - Collector Cutoff (Max):5mA
Atual - Collector (Ic) (Max):55A
Configuração:Single
Email:[email protected]

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