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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT84F50B2
APT84F50B2
APT84F50B2
Modelo do Produto:
APT84F50B2
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
29657 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
APT84F50B2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:T-MAX™ [B2]
Série:POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 42A, 10V
Dissipação de energia (Max):1135W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3 Variant
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:340nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição detalhada:N-Channel 500V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:84A (Tc)
Email:[email protected]

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