AOW12N65
AOW12N65
Modelo do Produto:
AOW12N65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
68433 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.AOW12N65.pdf2.AOW12N65.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:720 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):278W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2150pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição detalhada:N-Channel 650V 12A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-262
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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