A2T18H455W23NR6
- Modelo do Produto:
- A2T18H455W23NR6
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Quantidade disponível:
- 20059 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- A2T18H455W23NR6.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - Teste: | 31.5V |
| Tensão - M: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | OM-1230-4L2S |
| Série: | - |
| Potência: | 56dBm |
| Caixa / Gabinete: | OM-1230-4L2S |
| Outros nomes: | 935318707564 |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Ganho: | 14.5dB |
| Freqüência: | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Descrição detalhada: | RF Mosfet LDMOS 31.5V 1.08A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S |
| Potência nominal: | 10µA |
| Atual - Teste: | 1.08A |
| Email: | [email protected] |
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