2SC5706-P-E
- Modelo do Produto:
- 2SC5706-P-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 100V 5A
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 50634 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 2SC5706-P-E.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 240mV @ 100mA, 2A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 800mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 6 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 400MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 500mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 5A |
| Email: | [email protected] |
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