2SA1013-O,T6MIBF(J
Modelo do Produto:
2SA1013-O,T6MIBF(J
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
43125 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
2SA1013-O,T6MIBF(J.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):160V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.5V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-92L
Série:-
Power - Max:900mW
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Outros nomes:2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:50MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor PNP 160V 1A 50MHz 900mW Through Hole TO-92L
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 200mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max):1µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

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