1N5553US
1N5553US
Modelo do Produto:
1N5553US
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
7642 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1N5553US.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.2V @ 9A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):800V
Embalagem do dispositivo fornecedor:B, SQ-MELF
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):2µs
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SQ-MELF, B
Temperatura de Operação - Junção:-65°C ~ 175°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:7 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 800V 3A Surface Mount B, SQ-MELF
Atual - dispersão reversa @ Vr:1µA @ 800V
Atual - rectificada média (Io):3A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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