TRS10E65C,S1Q
TRS10E65C,S1Q
Part Number:
TRS10E65C,S1Q
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
53455 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
TRS10E65C,S1Q.pdf

Wprowadzenie

We can supply TRS10E65C,S1Q, use the request quote form to request TRS10E65C,S1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TRS10E65C,S1Q.The price and lead time for TRS10E65C,S1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TRS10E65C,S1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Stan New & Unused, Original Packing
Pochodzenie Contact us
Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli:1.7V @ 10A
Napięcie - DC Rewers (VR) (maks):650V
Dostawca urządzeń Pakiet:TO-220-2L
Prędkość:No Recovery Time > 500mA (Io)
Seria:-
Odwrócona Recovery Time (TRR):0ns
Opakowania:Tube
Package / Case:TO-220-2
Inne nazwy:TRS10E65C,S1Q(S
TRS10E65C,S1Q-ND
TRS10E65CS1Q
Temperatura pracy - złącze:175°C (Max)
Rodzaj mocowania:Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Typ diody:Silicon Carbide Schottky
szczegółowy opis:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220-2L
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr:90µA @ 650V
Obecny - Średnia Spirytus (Io):10A (DC)
Pojemność @ VR F:-
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze