SI3586DV-T1-GE3
SI3586DV-T1-GE3
Part Number:
SI3586DV-T1-GE3
Producent:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
73477 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
SI3586DV-T1-GE3.pdf

Wprowadzenie

We can supply SI3586DV-T1-GE3, use the request quote form to request SI3586DV-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI3586DV-T1-GE3.The price and lead time for SI3586DV-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI3586DV-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Stan New & Unused, Original Packing
Pochodzenie Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:1.1V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:6-TSOP
Seria:TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Moc - Max:830mW
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Inne nazwy:SI3586DV-T1-GE3TR
SI3586DVT1GE3
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:6nC @ 4.5V
Rodzaj FET:N and P-Channel
Cecha FET:Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):20V
szczegółowy opis:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:2.9A, 2.1A
Podstawowy numer części:SI3586
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze