2SJ360(TE12L,F)
2SJ360(TE12L,F)
Part Number:
2SJ360(TE12L,F)
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Opis:
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Stan ołowiu / status RoHS:
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dostępna Ilość:
65671 Pieces
Czas dostawy:
1-2 days
Arkusz danych:
1.2SJ360(TE12L,F).pdf2.2SJ360(TE12L,F).pdf

Wprowadzenie

We can supply 2SJ360(TE12L,F), use the request quote form to request 2SJ360(TE12L,F) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 2SJ360(TE12L,F).The price and lead time for 2SJ360(TE12L,F) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 2SJ360(TE12L,F).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specyfikacje

Stan New & Unused, Original Packing
Pochodzenie Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (maks.):±20V
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:PW-MINI
Seria:-
RDS (Max) @ ID, Vgs:730 mOhm @ 500mA, 10V
Strata mocy (max):500mW (Ta)
Opakowania:Tape & Reel (TR)
Package / Case:TO-243AA
temperatura robocza:150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL):1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:155pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss):60V
szczegółowy opis:P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

Szybkie zapytanie ofertowe

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Telefon
Komentarze