조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 테스트: | 2810pF @ 25V |
전압 - 파괴: | TO-263 (D²Pak) |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 190 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (최대): | 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | - |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 22A (Tc) |
편광: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
다른 이름들: | SIHB22N60S-E3TR |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | SIHB22N60S-E3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 110nC @ 10V |
IGBT 유형: | ±30V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 600V |
용량 비율: | 250W (Tc) |
Email: | [email protected] |