SI7326DN-T1-GE3
- 제품 모델:
- SI7326DN-T1-GE3
- 기술:
- MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 76232 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- SI7326DN-T1-GE3.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 테스트: | - |
| 전압 - 파괴: | PowerPAK® 1212-8 |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
| 과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 연속: | TrenchFET® |
| RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 6.5A (Ta) |
| 편광: | PowerPAK® 1212-8 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
| 제조업체 부품 번호: | SI7326DN-T1-GE3 |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 13nC @ 5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 1.8V @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 30V |
| 용량 비율: | 1.5W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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