조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 테스트: | - |
전압 - 파괴: | 8-TSSOP |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Vgs (최대): | 1.8V, 4.5V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | TrenchFET® |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 8.2A (Ta) |
편광: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
다른 이름들: | SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
제조업체 부품 번호: | SI6423DQ-T1-GE3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 110nC @ 5V |
IGBT 유형: | ±8V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 800mV @ 400µA |
FET 특징: | P-Channel |
확장 설명: | P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 12V |
용량 비율: | 1.05W (Ta) |
Email: | [email protected] |