조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 테스트: | - |
전압 - 파괴: | 6-TSOP |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
연속: | TrenchFET® |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 2A |
전력 - 최대: | 830mW |
편광: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
다른 이름들: | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
작동 온도: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 15 Weeks |
제조업체 부품 번호: | SI3900DV-T1-E3 |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 4nC @ 4.5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
FET 특징: | 2 N-Channel (Dual) |
확장 설명: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | Logic Level Gate |
기술: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 20V |
Email: | [email protected] |