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PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ
제품 모델:
PMXB360ENEAZ
제조사:
Nexperia
기술:
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
38234 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
PMXB360ENEAZ.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
아이디 @ VGS (일) (최대):2.7V @ 250µA
Vgs (최대):±20V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지:DFN1010D-3
연속:-
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):450 mOhm @ 1.1A, 10V
전력 소비 (최대):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
포장:Original-Reel®
패키지 / 케이스:3-XDFN Exposed Pad
다른 이름들:1727-1474-6
568-10945-6
568-10945-6-ND
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:26 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:130pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:4.5nC @ 10V
FET 유형:N-Channel
FET 특징:-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On):4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss):80V
상세 설명:N-Channel 80V 1.1A (Ta) 400mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):1.1A (Ta)
Email:[email protected]

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