조건 | New & Unused, Original Packing |
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유래 | Contact us |
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대): | 1A |
전압 - 파괴: | DFN1010D-3 |
IB, IC에서 @ VCE 채도 (최대): | 30V |
연속: | - |
RoHS 상태: | Tape & Reel (TR) |
저항기 -베이스 (R1) (옴): | 170MHz |
전력 - 최대: | 325mW |
편광: | 3-XDFN Exposed Pad |
다른 이름들: | 1727-1465-2 568-10936-2 568-10936-2-ND 934067167147 |
작동 온도: | 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 6 Weeks |
제조업체 부품 번호: | PBSS5130QA |
주파수 - 전환: | 130 @ 1A, 2V |
확장 설명: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 1A 170MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3 |
기술: | TRANS PNP 30V 1A 3DFN |
IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가: | 100nA (ICBO) |
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대): | 240mV @ 100mA, 1A |
전류 - 콜렉터 (IC) (최대): | PNP |
Email: | [email protected] |