조건 | New & Unused, Original Packing |
---|---|
유래 | Contact us |
전압 - 테스트: | 8110pF @ 40V |
전압 - 파괴: | PG-TO263-2 |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (최대): | 6V, 10V |
과학 기술: | MOSFET (Metal Oxide) |
연속: | OptiMOS™ |
RoHS 상태: | Digi-Reel® |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 100A (Tc) |
편광: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
다른 이름들: | IPB035N08N3 GDKR |
작동 온도: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 표준 리드 타임: | 12 Weeks |
제조업체 부품 번호: | IPB035N08N3 G |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 117nC @ 10V |
IGBT 유형: | ±20V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 3.5V @ 155µA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 80V |
용량 비율: | 214W (Tc) |
Email: | [email protected] |