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2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)
제품 모델:
2SK3564(STA4,Q,M)
제조사:
Toshiba Semiconductor and Storage
기술:
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
무연 여부 / RoHS 준수 여부:
무연 / RoHS 준수
사용 가능한 수량:
16488 Pieces
배달 시간:
1-2 days
데이터 시트:
1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
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소개

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규격

조건 New & Unused, Original Packing
유래 Contact us
전압 - 테스트:700pF @ 25V
전압 - 파괴:TO-220SIS
아이디 @ VGS (일) (최대):4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (최대):10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:π-MOSIV
RoHS 상태:Tube
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):3A (Ta)
편광:TO-220-3 Full Pack
다른 이름들:2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM
작동 온도:150°C (TJ)
실장 형:Through Hole
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 부품 번호:2SK3564(STA4,Q,M)
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:17nC @ 10V
IGBT 유형:±30V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:4V @ 1mA
FET 특징:N-Channel
확장 설명:N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):900V
용량 비율:40W (Tc)
Email:[email protected]

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