SIR164DP-T1-GE3
SIR164DP-T1-GE3
部品型番:
SIR164DP-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
54073 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIR164DP-T1-GE3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - テスト:3950pF @ 15V
電圧 - ブレークダウン:PowerPAK® SO-8
同上@ VGS(TH)(最大):2.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(最大):4.5V, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:TrenchFET®
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):50A (Tc)
偏光:PowerPAK® SO-8
他の名前:SIR164DP-T1-GE3TR
SIR164DPT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
製造元の部品番号:SIR164DP-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:123nC @ 10V
IGBTタイプ:±20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:2.5V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):30V
静電容量比:5.2W (Ta), 69W (Tc)
Email:[email protected]

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