状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - テスト: | 3950pF @ 15V |
電圧 - ブレークダウン: | PowerPAK® SO-8 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs(最大): | 4.5V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | TrenchFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 50A (Tc) |
偏光: | PowerPAK® SO-8 |
他の名前: | SIR164DP-T1-GE3TR SIR164DPT1GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SIR164DP-T1-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 123nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 30V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 30V |
静電容量比: | 5.2W (Ta), 69W (Tc) |
Email: | [email protected] |