SIE810DF-T1-E3
SIE810DF-T1-E3
部品型番:
SIE810DF-T1-E3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
54923 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SIE810DF-T1-E3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - テスト:13000pF @ 10V
電圧 - ブレークダウン:10-PolarPAK® (L)
同上@ VGS(TH)(最大):1.4 mOhm @ 25A, 10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:TrenchFET®
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):60A (Tc)
偏光:10-PolarPAK® (L)
他の名前:SIE810DF-T1-E3TR
SIE810DFT1E3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
製造元の部品番号:SIE810DF-T1-E3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:300nC @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:2V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 20V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20V
静電容量比:5.2W (Ta), 125W (Tc)
Email:[email protected]

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