SI3900DV-T1-E3
SI3900DV-T1-E3
部品型番:
SI3900DV-T1-E3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
70667 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
SI3900DV-T1-E3.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - テスト:-
電圧 - ブレークダウン:6-TSOP
同上@ VGS(TH)(最大):125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
シリーズ:TrenchFET®
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2A
電力 - 最大:830mW
偏光:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前:SI3900DV-T1-E3TR
SI3900DVT1E3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
製造元の部品番号:SI3900DV-T1-E3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4nC @ 4.5V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:1.5V @ 250µA
FET特長:2 N-Channel (Dual)
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
ソース電圧(VDSS)にドレイン:Logic Level Gate
説明:MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20V
Email:[email protected]

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