状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - テスト: | - |
電圧 - ブレークダウン: | 6-TSOP |
同上@ VGS(TH)(最大): | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
シリーズ: | TrenchFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 2A |
電力 - 最大: | 830mW |
偏光: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前: | SI3900DV-T1-E3TR SI3900DVT1E3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SI3900DV-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 4nC @ 4.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 1.5V @ 250µA |
FET特長: | 2 N-Channel (Dual) |
拡張された説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | Logic Level Gate |
説明: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 20V |
Email: | [email protected] |