SI2342DS-T1-GE3
- 部品型番:
- SI2342DS-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 29360 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- SI2342DS-T1-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 電圧 - テスト: | 1070pF @ 4V |
| 電圧 - ブレークダウン: | SOT-23 |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 17 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
| Vgs（最大）: | 1.2V, 4.5V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 6A (Tc) |
| 偏光: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 他の名前: | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3TR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SI2342DS-T1-GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 15.8nC @ 4.5V |
| IGBTタイプ: | ±5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 800mV @ 250µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 8V 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 8V |
| 静電容量比: | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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