状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - テスト: | 510pF @ 25V |
電圧 - ブレークダウン: | Micro3™/SOT-23 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 98 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs(最大): | 4.5V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | HEXFET® |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3A (Ta) |
偏光: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前: | IRLML5203GTRPBF-ND IRLML5203GTRPBFTR SP001567222 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 13 Weeks |
製造元の部品番号: | IRLML5203GTRPBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 14nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
FET特長: | P-Channel |
拡張された説明: | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 30V |
静電容量比: | 1.25W (Ta) |
Email: | [email protected] |