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IRFIBF30GPBF
IRFIBF30GPBF
部品型番:
IRFIBF30GPBF
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
68088 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
IRFIBF30GPBF.pdf
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規格

状況 New & Unused, Original Packing
出典 Contact us
電圧 - テスト:1200pF @ 25V
電圧 - ブレークダウン:TO-220-3
同上@ VGS（TH）（最大）:3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（最大）:10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:-
RoHSステータス:Tube
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:1.9A (Tc)
偏光:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
他の名前:*IRFIBF30GPBF
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:11 Weeks
製造元の部品番号:IRFIBF30GPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:78nC @ 10V
IGBTタイプ:±20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:4V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:900V
静電容量比:35W (Tc)
Email:[email protected]

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